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TOSHIBA

vendredi 17 février 2017 à 23h34

Toshiba est vainqueur du 63e Grand prix de technologie Okochi Memorial


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La société obtient une avancée révolutionnaire dans la réalisation de règles de conception haute densité pour la mémoire Flash NAND multibits par cellule, grâce à la réduction de l'effet de couplage entre les cellules de mémoire adjacentes

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Toshiba est vainqueur du 63e Grand prix de technologie Okochi Memorial

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Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor Relations Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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Les récents travaux de Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) à la pointe de la technologie des semi-conducteurs ont été récompensés par le 63e Grand prix de technologie Okochi Memorial, récompense la plus prestigieuse au Japon dans le secteur des technologies industrielles.

Créé en 1954, le Prix Okochi récompense les progrès en ingénierie industrielle dans des domaines comprenant la recherche et le développement de technologies de production. L'engagement de Toshiba en faveur de l'excellence dans les domaines de la recherche et de la fabrication lui a permis de remporter ce prix à de nombreuses reprises, sa récompense la plus récente datant d'il y a quatre ans. Cette année, le prix récompense la technologie révolutionnaire de Toshiba destinée à réduire l'effet de couplage entre les cellules de mémoire adjacentes, afin de permettre la réalisation des règles de conception haute densité pour la mémoire Flash NAND multibits par cellule. La cérémonie de remise des prix aura lieu le 24 mars à Tokyo.

Invention de Toshiba, la mémoire Flash NAND est la technologie de stockage ayant permis la réalisation des appareils numériques personnels qui sont essentiels aux modes de vie modernes. On la retrouve dans les smartphones, les tablettes, les PC, les cartes mémoire SD, les clés USB, ainsi que dans les dispositifs de stockage industriels de type SSD.

La mémoire Flash NAND combine capacité de stockage élevée et faible coût, grâce à la réduction des règles de conception et aux technologies multibits par cellule. La perpétuelle miniaturisation contribue néanmoins à rapprocher toujours davantage les cellules de mémoire, le nombre d'électrons présents dans une cellule de mémoire étant affecté lorsque des cellules adjacentes sont programmées. Il s'agit d'un grave problème pour les cellules de mémoire multibits au sein desquelles les données sont enregistrées à l'aide d'un nombre plus réduit d'électrons, car cela aboutit à des erreurs de lecture des données.

Appliquée à la mémoire Flash NAND MLC (2 bits par cellule), l'avancée technologique de Toshiba garantit un haut niveau de fiabilité des données. Elle se fonde sur la séquence de cellules de programmation multiples : elle programme dans un premier temps un bit dans une cellule, puis programme un bit dans les cellules adjacentes, et programme ensuite un autre bit dans la première cellule. Cette approche consistant à ajouter des bits de données de manière individuelle réduit les interférences de couplage entre les cellules voisines. La séquence est compatible avec les produits existants grâce aux cellules de signalisation qui identifient le nombre de bits programmés dans la cellule.

Une technologie plus avancée a permis à Toshiba de fabriquer un NAND TLC (3 bits par cellule) haute fiabilité. Cette technologie offre la programmation séquencée des cellules NAND TLC via une programmation en trois étapes qui présente un plus grand nombre de bits par cellule, et garantit une programmation rapide et précise qui élimine la quasi-totalité des interférences de couplage des cellules adjacentes.

La réduction de la taille des puces grâce à la technologie multibits par cellule offre des avantages multiples : réduction de la consommation énergétique pendant la production, utilisation d'un nombre plus réduit de matériaux pendant le traitement, réduction des impacts environnementaux et amélioration des rendements de production. Cette technologie a également permis à Toshiba de proposer sur le marché une mémoire Flash NAND haute capacité à bas prix, qui accompagne une application plus large dans divers produits, ainsi que le progrès continu de notre société axée sur l'information.

Toshiba continuera de promouvoir les innovations technologiques de mémoire Flash qui répondent aux besoins des industries basées sur l'information.

Technologie primée
Technologie de réduction de l'effet de couplage entre les cellules de mémoire adjacentes, permettant la réalisation de règles de conception haute densité pour la mémoire Flash NAND multibits par cellule

Lauréats du Prix
Noboru Shibata, Division mémoire
Masaki Fujiu, Division mémoire
Hiroshi Sukegawa, Centre de recherche et développement autour des semi-conducteurs
Toshiba Corporation Storage & Electronic Devices Solution Company

À propos de Toshiba
Toshiba Corporation, fondée en 1875 à Tokyo, est une société figurant au classement Fortune Global 500 qui contribue à un monde meilleur et à des vies meilleures en fournissant des technologies innovantes en énergie, infrastructure et stockage. Guidée par la philosophie « Engagement vis-à-vis des gens, Engagement vis-à-vis du futur », Toshiba promeut ses opérations via un réseau mondial de 551 sociétés consolidées employant 188 000 personnes, avec un chiffre d'affaires annuel surpassant les 5,6 billions de yens (50 milliards USD ; 31 mars 2016).
Apprenez-en plus sur Toshiba à l'adresse www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d'une traduction ne doit d'aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d'origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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