GLOBALFOUNDRIES mettra en avant son leadership en matière de technologie 32 nm/28 nm au salon GSA Expo

À l'heure où le secteur des semi-conducteurs amorce sa transition vers le nouveau n?ud technologique, GLOBALFOUNDRIES est en bonne voie pour se positionner comme le fondeur numéro un en termes de technologie. Le 1^er octobre, au salon Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference de Santa Clara en Californie, GLOBALFOUNDRIES (Stand 321) exposera les tout derniers détails de sa feuille de route technologique pour les générations de gravure en 32 nm/28 nm et son approche novatrice « Gate First » pour la fabrication de transistors basés sur la technologie d'isolants High-K et grilles métalliques (High-K Metal Gate, HKMG).

« Avec chaque nouvelle génération technologique, les fondeurs de semi-conducteurs sont confrontés à une problématique économique toujours plus forte : soutenir la R&D et le savoir-faire nécessaire pour lancer ces technologies sur le marché en gros volumes », a expliqué Len Jelinek, directeur et chef analyste chez iSuppli. « GLOBALFOUNDRIES, qui a à son actif le lancement rapide de technologies d'avant-garde en production de masse à des rendements avancés, associé à des investissements dynamiques en capacité et technologie, est particulièrement bien positionné pour s'octroyer la place de fondeur nouvelle génération numéro un. »

GLOBALFOUNDRIES pense démarrer la production de masse de la technologie 32 nm-SHP (Super High Performance) à l'usine Fab 1 dans le courant du deuxième semestre 2010. Cette technologie fera appel à des substrats silicium sur isolant (SOI) et utilisera l'approche novatrice de GLOBALFOUNDRIES « Gate First » en matière de technologie HKMG, qui maximise l'efficacité énergétique et la mise à échelle des transistors tout en minimisant la taille des puces et la complexité de conception par rapport à l'autre approche « Gate Last ». La progression du rendement continue avec des SRAM de 24 Mo aux rendements naturels à deux chiffres et en bonne voie pour atteindre les 50 % d'ici la fin de l'année.

« En comparaison à la technologie 45 nm-SHP que nous employons actuellement à l'usine Fab 1, nous constatons une amélioration des performances pouvant atteindre 50 % dans la génération de gravure en 32 nm avec les mêmes niveaux de fuite que ceux de la génération en 45 nm », a confié pour sa part Jim Doran, vice-président senior et directeur général de Fab 1 chez GLOBALFOUNDRIES. « Ceci associé à notre technologie brevetée Automated Precision Manufacturing (APM) et à des densités à taux de défaut exceptionnellement bas, nous sommes convaincus que nous serons les premiers parmi les fondeurs à mettre sur le marché cette technologie en production de masse pour nos clients. »

GLOBALFOUNDRIES, nouvel entrant dans le paysage de la fonderie, apporte des années de production de pointe en matière de processeurs haute performance. Durant la transition vers la génération technologique de gravure en 45 nm, GLOBALFOUNDRIES a atteint la production de masse à rendement avancé 2 à 3 trimestres avant le reste des fondeurs, tout en mettant en ?uvre au même moment un nouvelle forme complexe de lithographie (la lithographie par immersion) avant tous les autres fabricants de semi-conducteurs.

En ce qui concerne la génération 28 nm, laquelle sera offerte sur des substrats en silicium en vrac, la société acceptera les conceptions IP de ses clients et de tierces parties au T1 2010 sur son service de navette pour le prototypage à bas coût, la production étant prévue pour le deuxième semestre 2010. La technologie de gravure en 28 nm offre la plus petite taille de cellule SRAM (0,120 µm²) actuellement annoncée par le secteur de la fonderie, ainsi qu'un avantage en termes de taille de puce par rapport aux approches « Gate Last » de la gravure en 28 nm. Qui plus est, l'approche de GLOBALFOUNDRIES « Gate First » en matière de technologie HKMG simplifie la mise en ?uvre de la conception en 28 nm et la réutilisation de l'IP pour les clients qui utilisent la technologie classique poly/SiON au niveau des n?uds 45/40 nm et 32 nm du fait du flux des opérations et des règles de conception qui sont similaires.

Les clients au n?ud 28 nm bénéficieront du lancement en production de masse d'une technologie d'avant-garde au n?ud 32 nm, ce qui permettra à GLOBALFOUNDRIES d'être bien avancé dans sa deuxième génération de mise en ?uvre de la technologie HKMG lorsque la production 28 nm débutera. Le n?ud 28 nm sera disponible en deux variantes : la variante 28 nm-HP (High Performance) sera optimisée pour les applications de pointe dans les domaines tels que l'infographie, les consoles de jeu, le stockage, les réseaux et le codage de médias. La variante 28 nm-SLP (Super Low Power) est optimisée pour les applications mobiles sans fil, telles que bande de base, processeurs d'application et autres fonctions d'appareils sans fil nécessitant une longue durée de vie de batterie.

Les technologies 32 nm et 28 nm de GLOBALFOUNDRIES avec l'approche « Gate First » en matière de HKMG ont à l'origine été développées en partenariat avec IBM par le biais de la participation de la société dans l'alliance technologique IBM Technology Alliance. IBM et ses partenaires de recherche ont présenté pour la première fois l'innovation HKMG « Gate First » en 2007 comme base des améliorations longuement recherchées à apporter aux transistors, pour régler le problème de déperdition de courant qui était apparu au n?ud 45 nm.

À PROPOS DE GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES est le premier fabricant de semi-conducteurs de pointe au monde à avoir atteint une dimension véritablement mondiale. Lancée en mars 2009 dans le cadre d'un partenariat entre AMD (NYSE : AMD) et Advanced Technology Investment Company (ATIC), la société GLOBALFOUNDRIES propose une combinaison unique de technologies de pointe, d'excellence de la fabrication et d'activités mondiales. GLOBALFOUNDRIES a son siège dans la Silicon Valley et des installations à Austin, Dresde et New York.

Pour de plus amples informations sur GLOBALFOUNDRIES, consultez le site www.globalfoundries.com

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