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société :

SOITEC

secteur : Semi-conducteurs
mardi 7 décembre 2010 à 18h53

PEREGRINE SEMICONDUCTOR ET SOITEC ANNONCENT UN NOUVEAU SUBSTRAT SILICIUM SUR SAPHIR POUR LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS RF (DiR)


La Tribune Wire

L’évolution continue du silicium sur saphir (SOS) s’inscrit dans le cadre du programme de développement à long terme de la technologie UltraCMOS™ de Peregrine

San Diego (Californie) et Bernin (France), le 7 décembre 2010 – Peregrine Semiconductor Corporation, l’un des premiers fournisseurs de circuits intégrés CMOS RF de hautes performances, et Soitec (Euronext Paris), premier fabricant mondial de plaques de silicium sur isolant (SOI) et fournisseur de solutions innovantes pour les industries de l’électronique et de l’énergie, annoncent aujourd’hui que leur programme de développement commun débouche sur le lancement en production d’un nouveau substrat silicium sur saphir (Bonded Silicon on Sapphire – Bonded SOS). Ce nouveau substrat Bonded SOS a été qualifié pour la fabrication de circuits intégrés RF UltraCMOS™ STeP5 de nouvelle génération de Peregrine. Cette annonce représente un succès majeur pour les deux entreprises dans le domaine des plaques SOS. En associant les technologies de collage de plaques et le savoir-faire industriel de Soitec à l’expertise acquise par Peregrine dans la conception de circuits intégrés et le développement de procédés SOS, les deux partenaires ont pu rapidement mettre au point un substrat assurant les performances RF de pointe requises par les marchés en constante évolution de l’industrie et du mobile sans fil.

Ce nouveau substrat SOS monocristallin a été conçu conjointement par les deux sociétés. L’expertise industrielle de Soitec sur les technologies de collage de plaques a été utilisée pour transférer et coller une fine couche de silicium monocristallin de haute qualité sur un substrat en saphir. La couche de silicium collée ainsi obtenue permet d’améliorer considérablement la mobilité des porteurs dans les transistors par rapport aux plaques SOS classiques qui utilisent une couche de silicium épitaxiée. Avec ce nouveau substrat, Peregrine dispose d’un environnement de conception idéal pour apporter des améliorations majeures dans les circuits intégrés RF sur le plan de la taille, des fonctionnalités et des performances, en réduisant les dimensions des circuits et en augmentant leurs performances jusqu’à 30 %. Ce substrat permet également à Peregrine de poursuivre sa stratégie à long terme de développement de circuits intégrés RFFE (RF Front-End) à haut niveau d’intégration.

« Les capacités industrielles et l’impressionnante expertise acquise par Soitec dans le domaine des substrats nous ont permis de mettre en œuvre notre vision de la technologie UltraCMOS de nouvelle génération », déclare Mark Miscione, vice-president, RF Technology Solutions, Peregrine Semiconductor. « Grâce à cette réalisation majeure, nous pouvons bénéficier de performances RF encore meilleures dans nos produits. Nous sommes heureux de  poursuivre notre collaboration avec Soitec et d’explorer ensemble de nouvelles opportunités ».

« Nous nous félicitons que cette collaboration avec Peregrine ait abouti à la réalisation d’un nouveau substrat SOS. En tout juste deux ans, nous sommes passés de la phase de faisabilité à un produit mature, prêt à être industrialisé et fabriqué en série », déclare pour sa part Bernard Aspar, directeur de la division Tracit de Soitec. « C’est un excellent exemple de la façon dont nos technologies de base peuvent être étendues à de nouveaux marchés et de nouvelles applications qui requièrent toujours davantage de fonctionnalités au niveau du substrat. »

 

À propos de Peregrine Semiconductor
Peregrine Semiconductor Corporation est l’un des premiers fournisseurs de circuits intégrés RF de hautes performances. Nos solutions sont réalisées dans notre technologie propriétaire UltraCMOS™, qui permet de concevoir, fabriquer et intégrer plusieurs fonctions RF, à signal mixte et numérique, sur un seul circuit. Nos produits fournissent ce que nous estimons être une combinaison de performances et d’intégration monolithique à la pointe de l’industrie et sont destinés à une large gamme d’applications dans les domaines de l’aéronautique et de la défense, des communications large bande, des applications industrielles, des systèmes sans fil mobiles, des équipements de test et de mesure, ainsi que des infrastructures sans fil. La technologie UltraCMOS associe les avantages fondamentaux de la technologie CMOS standard — qui est la technologie couramment utilisée pour la fabrication de semi-conducteurs — et un substrat saphir synthétique qui permet d’améliorer de façon considérable les performances des applications RF. Peregrine possède un vaste patrimoine intellectuel en technologie UltraCMOS qui comprend plusieurs brevets déposés aux États-Unis et au plan international, ainsi que des secrets commerciaux qui couvrent les processus de fabrication, les éléments de base des circuits, la conception des circuits RF et le savoir-faire de conception. Nous avons par ailleurs développé des avancées en matière de conception, avec notamment notre technologie brevetée HaRP™ qui améliore sensiblement les performances harmoniques et de linéarité, et notre technologie brevetée DuNE™, une technique de conception de circuits que nous avons utilisée pour développer nos condensateurs réglables numériquement (DTC) avancés. Nous nous appuyons sur notre vaste expertise en conception RF et sur notre savoir-faire systèmes pour développer des circuits intégrés RF conformes aux strictes exigences de performances, d’intégration et de fiabilité des marchés sans fil en rapide évolution. Ces économies d’énergie et de dimensions quantifiables présentent des avantages pour les fabricants comme pour les consommateurs, avec notamment une autonomie de batterie accrue, une réduction des dimensions des batteries, une réduction de la consommation et de la facture d’énergie, une baisse du volume de déchets électroniques, ainsi que des solutions RF davantage respectueuses de l’environnement. Nous proposons un large éventail de plus de 120 circuits intégrés RF hautes performances parmi lesquels des commutateurs, des atténuateurs numériques, des synthétiseurs de fréquence, des mélangeurs et des échelles de précomptage ; nous développons des amplificateurs de puissance, des condensateurs réglables numériquement (DTC) et des convertisseurs continu-continu. Nos produits sont vendus dans le monde entier à plus de 1 200 fabricants de modules, intégrateurs (OEM), sous-traitants et autres clients par le biais de notre réseau de ventes, de nos équipes d’ingénieurs d’applications sur le terrain et de notre réseau de représentants commerciaux indépendants et de distributeurs partenaires. Outre la vente de nos produits, nous avons mis en place un programme de licence technologique en vue d’accélérer l’adoption et le déploiement de la technologie UltraCMOS. Pour tout complément d’information : www.psemi.com

À propos de Soitec
Soitec est le leader mondial dans la fourniture de substrats innovants pour l’industrie microélectronique de pointe. Le groupe produit une gamme étendue de matériaux avancés, notamment les plaques de silicium sur isolant (SOI) basées sur sa technologie Smart Cut™, la première application à fort volume de cette technologie. La technologie SOI apparaît aujourd'hui comme la plate-forme du futur, ouvrant la voie à la production de puces plus performantes, plus rapides et plus économiques. Aujourd'hui, Soitec fabrique plus de 80% des plaques de silicium sur isolant utilisées mondialement. Basé à Bernin, en France, où se trouvent deux unités de production à fort volume, Soitec possède des bureaux aux Etats-Unis, au Japon et à Taiwan, ainsi qu'un nouveau site de production à Singapour actuellement en phase de qualification. Le groupe comporte trois autres divisions : Picogiga International, Tracit Technologies et Concentrix Solar. Picogiga est spécialisé dans le développement et la fabrication de substrats innovants, depuis les plaques épitaxiées de semi-conducteurs III-V et les plaques à base de nitrure de gallium (GaN), jusqu'aux substrats composés pour la fabrication de dispositifs électroniques à haute fréquence ou optoélectroniques. Tracit est spécialisé dans la technologie de transfert de couches minces utilisée dans la production de substrats innovants destinés aux micro-systèmes et aux circuits intégrés de puissance, ainsi que dans la technologie Smart Stacking™ de transfert de circuit pour des applications telles que les capteurs d'image et l'intégration 3D. En décembre 2009, Soitec a acquis 80% de Concentrix Solar, l’un des premiers fournisseurs mondiaux de systèmes photovoltaïques à concentration (CPV). Soitec fait ainsi son entrée sur le marché en plein essor de l’industrie solaire en se positionnant sur la chaîne de valeur au niveau du système de production de l’énergie solaire.
Les actions du groupe Soitec sont cotées sur Euronext Paris.
Des informations complémentaires sont disponibles sur le site Internet www.soitec.fr.
Soitec, Smart Cut, Smart Stacking et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.

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Marie-Caroline Saro, H&B Communication
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