LE GROUPE SOITEC annonce la fabrication du premier substrat de nitrure de gallium (GaN) sur isolant
Une avancée de la technologie Smart Cut™ ouvrant la voie à une nouvelle famille de produits dédiée à des nouvelles applications dans le domaine des diodes électroluminescentes et des composants radio fréquence (RF)
Bernin, le 1er mars 2005— Le Groupe Soitec (Euronext, Paris), leader mondial du matériau SOI (silicium sur isolant) et autres matériaux innovants pour l'industrie du semi-conducteur, annonce aujourd'hui une avancée technologique majeure réalisée grâce à sa technologie brevetée de transfert et collage de couches, Smart Cut™. Soitec a, pour la première fois, réalisé le transfert d'un film mince monocristallin de nitrure de gallium (GaN) sur substrat isolant - ce qui constitue une avancée significative ouvrant des perspectives nouvelles pour le développement de diodes électroluminescentes bleues et blanches de forte luminosité, ainsi que l'amélioration des composants radio fréquence (RF) de puissance.
Cette avancée technologique a été menée en étroite collaboration avec Picogiga International, une division du Groupe Soitec, spécialisée dans le développement et la fabrication des matériaux semi-conducteurs composés. Elle a été réalisée au sein du laboratoire SCEALAB (Smart Cut Enabling Application Laboratory.) Le SCEALAB est un laboratoire technologique commun entre Soitec et le centre de recherche français CEA-Leti, dont la mission est de développer de nouveaux substrats composites. La technologie Smart Cut a été utilisée par les chercheurs pour séparer et transférer une fine couche de nitrure de gallium à partir d'une plaque de nitrure de gallium de haute-qualité, sur un substrat isolant.
" Cette première démonstration de substrats composites à base de nitrure de gallium a pu être réalisée grâce à la technologie Smart Cut. Il s'agit d'un résultat exceptionnel obtenu par les équipes du SCEALAB. Les substrats composites à base de GaN constituent un élément essentiel de notre stratégie qui consiste à développer et fournir des matériaux innovants pour l'industrie des semi-conducteurs composés pour une variété d'applications " déclare Jean-Luc Ledys, Directeur Général de Picogiga International. " Ces nouveaux substrats GaN sur isolant assureront la diversification de la gamme de substrats actuelle ou en cours de développement tels que le carbure de silicium sur polysilicium, (SoPSiC), le carbure de silicium sur isolant (SiCOI) et le silicium sur carbure de silicium polycristallin (SiCopSiC.) "
Carlos Mazuré, Directeur de la Recherche et du Développement du Groupe Soitec déclare "Ces travaux de recherche ont été menés en collaboration étroite avec notre division matériaux III-V. Picogiga International, qui a en charge l'industrialisation de cette nouvelle technologie, joue un rôle clé dans la stratégie du groupe qui consiste à associer Smart Cut avec la technologie d'épitaxie de matériaux III-V. La maîtrise de technologies multiples est essentielle pour fournir au monde des semi-conducteurs composés des solutions matériaux adaptées. Dans cette perspective, Smart Cut apparaît comme "une boite à outils" pour le développement de nouveaux substrats au-delà du silicium. "
Aujourd'hui, les dispositifs à base de nitrure de gallium sont basés sur la croissance de couches épitaxiales de GaN sur des substrats traditionnels, tels que le silicium, le carbure de silicium et ou le saphir. Les composants radio fréquence (RF) de puissance, comme les diodes électroluminescentes bleues et blanches seront confrontés à des limitations techniques en terme de puissance ou d'efficacité lumineuse et vont nécessiter de nouvelles ruptures technologiques. En réalisant des structures composites, dont la face supérieure est constituée d'une couche de GaN monocristallin de haute qualité, Soitec fournit à l'industrie une solution très innovante pour améliorer la qualité et donc la performance de ces structures. La technologie Smart Cut permet d'optimiser les propriétés mécaniques et thermiques du substrat, indépendamment de la couche active, ce qui constitue le meilleur choix technologique et économique visant la création d'un produit industriel à base de GaN.
A propos du Groupe Soitec :
Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI et le sSOI, basée sur sa technologie Smart Cut™ ,aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les 2 Océanes de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris. Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site Internet: www.soitec.com.
A propos de Picogiga International :
La société Picogiga international est maintenant une division du Groupe Soitec focalisée sur le développement et la fabrication des matériaux semi-conducteurs III-V. L'épitaxie est une technologie clé que Soitec entend utiliser en complément de sa technologie Smart Cut en l'appliquant à des composés autres que le silicium, tels que les semi-conducteurs III-V.
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
Pour toute information, contacter :
Soitec - Hélène Champetier-Gusella
Relations Publiques
Tél.: (33) 04 76 92 88 25
E-mail : helene.champetier-gusella@soitec.fr
Soitec - Camille Darnaud-Dufour
Directrice de la Communication
Mobile France: (33) 06 79 49 51 43
Mobile US: (1) 650 796-0634
E-mail: camille.darnaud-dufour@soitec.fr
Communication financière - Oliver Brice
Gavin Anderson & Company
Tel: (33) 01 45 22 22 85
E-mail: obrice@gavinanderson.fr
© CompanynewsGroup