SOITEC : La Cour d'Appel du Tribunal Fédéral des Etats-Unis confirme le jugement rendu en première instance dans le cadre de la plainte pour contrefaçon à l'encontre de Silicon Genesis
BERNIN, France, le 02 décembre 2003-Soitec, le leader mondial du matériau S.O.I*, technologie clé dans la fabrication des semi-conducteurs, annonce aujourd'hui que la Cour d'Appel du Tribunal Fédéral des Etats-Unis a confirmé le jugement rendu en première instance dans le cadre de la plainte pour contrefaçon déposée par Soitec et le CEA (Commissariat à l'Energie Atomique), détenteur du brevet, contre Silicon Genesis Corporation (' SiGen '). Aucune des décisions du jugement rendu en première instance par le Tribunal Fédéral des Etats-Unis n'a été modifiée.
La Cour d'Appel a en particulier confirmé la décision que SiGen avait contrefait l'un des éléments clés du brevet américain n° 564 qui protège spécifiquement la technologie Smart Cut(tm) de Soitec ainsi que l'attribution de dommages pour contrefaçon à Soitec pour un montant proche de 5 millions de dollars (en incluant les intérêts courus).
Concédé en licence exclusive à Soitec, ce brevet fait partie du portefeuille de propriété industrielle protégeant la technologie Smart Cut utilisée pour la fabrication de matériaux avancés tels que les plaques SOI UNIBOND(tm) . Il est rappelé que le Tribunal Fédéral avait considéré en première instance que SiGen avait contrefait cinq autres revendications du brevet mais que les jurés avaient conclu que les revendications sur ces éléments n'étaient pas valides pour insuffisance de descriptions techniques (' enablement') dans l'utilisation de gaz rares en sus de l'hydrogène utilisé industriellement dont la description technique n'est pas contestée.
' Nous sommes très satisfaits de la décision de la Cour d'Appel qui confirme les conclusions en première instance du Tribunal Fédéral à l'encontre de SiGen et allons immédiatement demander le versement des dommages attribués par la cour à hauteur de 3millions de dollars et des intérêts courus', a déclaré André-Jacques Auberton-Hervé , Président de Soitec.
' Dans la mesure où la décision d'invalidité de certaines revendications dû à leur rédaction n'a pas été renversée, nous allons poursuivre la procédure de demande de redélivrance du brevet précisant les éléments de revendications liés à l'hydrogène et aux autres gaz rares. De façon très claire, la jurisprudence établie sur ce cas va renforcer la portée du brevet lors de sa redélivrance. '
Soitec va poursuivre sa démarche auprès de l'Office des Brevets pour obtenir la redélivrance du brevet 564 , comme il avait été annoncé en juin dernier. Cette démarche doit permettre d'éliminer tout problème de validité des revendications incriminées. Une fois redélivré, le brevet consolidera l'ensemble du portefeuille de propriété intellectuelle déjà concédé à Soitec par le CEA. Cette procédure de redélivrance permet de clarifier la rédaction des revendications concernées. Une fois modifiées ces revendications pourront à nouveau être rétablies dans toute leur portée pour les procédés de transfert de couche utilisant l'hydrogène seul ou en combinaison avec d'autres gaz dans l'étape d'implantation ionique. Ces revendications bénéficieront de la même date d'antériorité ainsi que de la jurisprudence établie sur le brevet 564.
A propos de Soitec :
Soitec est le premier fabricant et fournisseur mondial de plaques SOI pour l'industrie des semi-conducteurs, basées sur la technologie Smart Cut(tm). Soitec produit la gamme la plus étendue de matériaux avancés en couches fines pour la micro-électronique, avec ses produits UNIBOND(tm). Les actions Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris (code Sicovam 7206). Les OCEANES Soitec sont également cotés au Nouveau Marché d'Euronext Paris.
Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site : www.soitec.com
* Silicon On Insulator (silicium sur isolant)
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
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