APT Europe lance de nouveaux modules d'alimentation standard à transistors MOS et IGBT dédiés aux applications ZCS
Bordeaux, France... Advanced Power Technology Europe, société leader de technologies de modules d'alimentation, a le plaisir d'annoncer le lancement d'une nouvelle gamme de modules d'alimentation standard destinés aux applications ZCS (commutation à zéro de courant) haute tension.
Les pertes de commutation en mode de commutation matérielle sont les principaux freins à l'augmentation des fréquences de fonctionnement. Une fréquence de commutation supérieure se traduit par une réduction sensible de la taille et du poids de composants passifs tels que condensateurs, transformateurs et bobines d'induction utilisés dans les convertisseurs de puissance. L'une des méthodes permettant d'augmenter la fréquence de commutation consiste à réduire les pertes de commutation en adoptant des techniques de commutation logicielles comme le ZVS (commutation à zéro de tension) et le ZCS.
Ces nouveaux modules sont basés sur la commutation logicielle ZCS grâce à laquelle les interrupteurs sont activement enclenchés tandis que les pertes de commutation sont réduites du fait d'une inductance de commutation connectée en série au commutateur. Les pertes de coupure sont ainsi minimisées grâce à une amplitude de tension du commutateur proche de 0 A. Les applications ZCS sont généralement des dispositifs d'alimentation comportant une diode rapide haute tension de série.
Les modules d'alimentation standard à transistor MOS 1 000 V et 1 200 V sont proposés avec un commutateur unique pour des tensions allant de 86 A à 160 A. Ces modules utilisent des substrats en nitrure d'aluminium (AlN) pour des performances thermiques optimales. Les modules d'alimentation IGBT 1 200 V sont également proposés avec un commutateur unique. Le modèle APTGU180U120D est basé sur les IGBT à couche tampon (PT) PowerMOS 7(R) d'APT et convient aux tensions 1 200 V et 180 A. D'autres modules IGBT à commutateur unique sont disponibles avec des IGBT rapides à base homogène (NPT) 1 200 V pour des courants de 200 A et 300 A.
Les modèles d'alimentation standard à transistor MOS 1 000 V et 1 200 V existent également en configuration « phase leg » avec des courants de 37 à 49 A.
Tous ces modules sont intégrés dans l'offre SP6 conçue pour présenter une résistance parasite et une inductance internes minimales, et assurer donc un fonctionnement en haute fréquence. L'utilisation de la toute dernière génération de dispositifs d'alimentation permet un fonctionnement en mode ZCS pour les fréquences de 100 kHz à 200 kHz pour les IGBT à couche tampon (PT) et les IGBT rapides à base homogène (NPT) Power MOS 7 (R), et supérieures à 200 kHz pour les transistors MOS Power MOS 7(R).
Caractéristiques clés :
· Taille réduite (17mm de hauteur)
· Grande efficacité à des fréquences de commutation élevées
· Faibles pertes de connexion
· Faibles charges des diodes de reprise
· Economies et gain de place
· Boîtier isolé - montage facile
Applications
Les principales applications de cette gamme de produit sont les dispositifs d'alimentation industriels, les équipements de chauffage par induction, les soudeurs, les chargeurs de batterie, les systèmes d'alimentation sans coupure de courant alternatif 400 V ou plus, qui nécessitent une fréquence élevée en mode de commutation logicielle ZCS.
Des fiches techniques sont disponibles pour aider les développeurs et détaillent les caractéristiques et avantages de ces dispositifs. Ces fiches techniques sont disponibles sur le site Internet d'APT à l'adresse http://advancedpower.com ou peuvent être obtenues de l'usine.
Disponibilités
Des échantillons sont désormais disponibles. Les délais de livraison pour 10 000 unités sont de 8 à 12 semaines. Les prix pour 1 000 à 2 500 pièces vont de 68,00 à 159,00 dollars US.
| Configuration | Numéro de référence | BVCES (V) | IC (A) @ TC=80°C | VCE(on) (V) | TYPE | Offre |
| Diodes séries W à commutateur unique | APTGF200U120D | 1 200 | 200 | 3,2 | IGBT à base homogène (NPT) | SP6 |
| APTGF300U120D | 1 200 | 300 | 3,2 | |||
| APTGU180U120D | 1 200 | 180 | 3,3 | IGBT à couche tampon (PT) | SP6 |
| Configuration | Numéro de référence | BVCES (V) | IC (A) @ TC=80°C | RDS(on) milli-ohm | TYPE | Offre |
| Commutateur unique avec diode de série | APTM120U100D-AlN | 1 200 | 86 | 100 | Transistor MOS | SP6 |
| APTM120UM70D-AlN | 1 200 | 126 | 70 | Transistor MOS | SP6 | |
| APTM100UM65D-AlN | 1 000 | 110 | 65 | Transistor MOS | SP6 | |
| APTM100UM45D-AlN | 1 000 | 160 | 45 | Transistor MOS | SP6 | |
| Phase leg avec diodes de série | APTM120A20D | 1 200 | 37 | 200 | Transistor MOS | SP6 |
| APTM100A13D | 1 000 | 49 | 130 | Transistor MOS | SP6 |
Comportant des sites à Bend (Oregon), Santa Clara (Californie), Montgomeryville (Pennsylvanie) et Bordeaux (France), APT est un fournisseur de premier plan de semi-conducteurs d'alimentation pour des applications de radiofréquences, de micro-ondes, linéaires et de commutation.
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