La plateforme Gen III GaN de Transphorm obtient une qualification pour le secteur automobile
Deuxième gamme de FET GaN qualifiés AEC-Q101, avec une performance atteignant désormais 175 °C
La plateforme Gen III GaN de Transphorm obtient une qualification pour le secteur automobile
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Heather Ailara
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Transphorm Inc. -- concepteur et fabricant leader du premier et du plus fiable JEDEC et des semiconducteurs de nitrure de gallium (GaN) 650 V qualifiés AEC-Q101, a annoncé aujourd'hui que sa plateforme GaN haut voltage qualifiée JEDEC de troisième génération avait réussi avec succès les tests de résistance AEC-Q101 de l'Automotive Electronics Council concernant les semiconducteurs discrets de catégorie automobile. Cet accomplissement marque la deuxième gamme de produits qualifiée de la société pour le secteur automobile. Par ailleurs, aspect remarquable, la fiabilité est accrue dans la mesure où la plateforme Gen III GaN a enregistré une performance à 175°C lors des tests de qualification.
Le FET Gen III AEC-Q101 GaN de Transphorm, le TP65H035WSQA, offre une résistance typique de 35 m? dans un lot TO-247 standard du secteur. Comme leur prédécesseur -- le TPH3205WSBQA 50 m? Gen II -- les appareils ciblent les chargeurs intégrés AC-DC (OBC), les convertisseurs DC-DC et les systèmes onduleurs DC-AC pour les véhicules électriques hybrides rechargeables (PHEV) et les véhicules à batterie électrique (BEV).
Seuils de fiabilité inégalés
Lancés en juin 2018, les appareils Gen III de Transphorm sont apparus sur le marché comme les FET GaN disponibles offrant la meilleure fiabilité et la qualité la plus élevée [Q+R]. Ils ont enregistré une interférence électromagnétique inférieure, ainsi qu'une meilleure immunité sonore [tension de seuil à 4 V] et une robustesse de passerelle [à ±20 V]. Ces avancées ont permis d'enregistrer la commutation la plus silencieuse et une performance supérieure à des niveaux de courant plus élevés avec une circuiterie externe minime.
Cet engagement en faveur de la Q+R influence le choix de Transphorm consistant à mener des tests de normes étendus et accélérés, afin d'inclure JEDEC et AEC-Q101. Dans le cadre de cette toute dernière qualification automobile, le fabricant de semi-conducteurs a accentué les limites thermiques des appareils jusqu'à 25°C de plus que celles de ses homologues MOSFET en silicium standard à haut voltage qualifiés AEC-Q101.
Outre le fait de prouver la robustesse de la plateforme GaN, le test à une température supérieure démontre que les FET GaN AEC-Q101 de Transphorm offriront aux ingénieurs de conception une marge thermique ample lors du développement de tout système électrique.
« Le fait de prouver la qualité et la fiabilité d'un appareil est certainement le facteur le plus critique qui influence la confiance des clients dans les FET GaN à haut voltage -- notamment sur les marchés de l'automobile et des véhicules électriques », a déclaré Philip Zuk, vice-président du marketing technique mondial chez Transphorm. « À cette fin, nous veillons à ce que notre GaN conserve ses performances et sa fiabilité, même dans les conditions du monde réel susceptibles d'être bien plus difficiles que ce qu'exigent les profils de mission. Comme cela a été indiqué dans les données de fiabilité publiées, notre plateforme Gen III qualifiée JEDEC offre un taux FIT de défaillance sur le terrain de 3, ce qui s'inscrit en phase avec celui de Silicon Carbide. C'est ce niveau élevé de fiabilité qui a permis à Transphorm de sortir le FET automobile Gen III à 175 degrés Celsius. »
Le deuxième appareil qualifié AEC-Q101 de la société confirme une fois de plus la Q+R de Transphorm, comme cela a également été démontré dans la publication de janvier 2019 des premières données de fiabilité sur le terrain et des premiers calculs du taux de défaillance en début de vie -- qui constituent la source du taux FIT mentionné ci-dessus.
À propos de Transphorm
Transphorm amène l'électronique de puissance au-delà des limites du silicium. La société conçoit, fabrique et commercialise les semi-conducteurs GaN les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l'un des plus importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1 000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101, du secteur. Cela grâce à une approche à intégration verticale permettant d'innover à chaque stade du développement : matériaux, conception et fabrication des dispositifs, fabrication, emballage, conceptions circuit de référence et prise en charge d'applications. Site Web : transphormusa.com Twitter : @transphormusa
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