5G et au-delà : La photodiode à haute vitesse KP-H dotée d'une puce-sur-porteur à lentille intégrée de Kyoto Semiconductor atteint une bande passante de 40 GHz
La production de masse de la photodiode KP-H KPDEH12L-CC1C dotée d'une vitesse de transmission de 400 Gb/s débutera en novembre 2020
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