SOITEC : Picogiga International annonce un record de puissance sur un transistor à très haute mobilité
LES ULIS, France, le 20 janvier 2005— Picogiga International, une division du groupe Soitec (Euronext, Paris), spécialisée dans le développement et la fabrication de couches épitaxiées et substrats innovants de semi-conducteurs III-V, annonce aujourd'hui une avancée technologique majeure dans le domaine des composants de puissance RF et micro-ondes destinés à des applications de communication sans fil et de traitements ultra-rapides. Les compétences de Picogiga dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire ont permis le développement du Transistor à Très Haute Mobilité (HEMT) le plus puissant au monde, fabriqué à partir de structures à base d'alliage de nitrure de gallium épitaxié par jet moléculaire sur substrat de silicium monocristallin.
Picogiga a développé les structures à base d'alliage de nitrure de gallium sur substrat de silicium monocristallin, grâce à un procédé d'épitaxie par jet moléculaire spécifique. Les dispositifs HEMT ont été fabriqués par une équipe de recherche et de développement de TriQuint Semiconductor, un fabriquant leader en matière de composants de hautes performances, de modules et de prestations de fonderie pour des applications de communications. L'utilisation de ces structures AlGaN / GaN élaborées par Picogiga sur substrat de silicium associée à une technologie de grille de 0,3 µm a permis au centre de recherche de TriQuint de fabriquer un composant dont la densité de puissance de sortie est la plus forte jamais reportée à ce jour pour une telle structure, typiquement 7 W/mm à 10 GigaHertz sans refroidissement extérieur. Ceci est équivalent à une puissance de sortie de 31.5 dBm, avec une efficacité en puissance ajoutée de 39 %. Ces résultats démontrent la capacité du procédé d'épitaxie de Picogiga de faire croître des couches de nitrure de gallium sur un substrat de silicium, permettant ainsi de combiner les avantages des deux matériaux que sont le nitrure de gallium et le silicium.
" Grâce à l'amélioration de la technologie de croissance de matériaux de Picogiga et au procédé optimisé de TriQuint, nous avons pu obtenir de fortes tensions de claquage et une bonne isolation pour ces composants, ce qui nous permet de les utiliser avec une polarisation de drain de 40 volts. Ainsi nous avons pu obtenir la meilleure densité de courant possible sur ces transistors HEMT. Cela signifie que les structures de nitrure de gallium sur silicium constituent désormais une technologie viable pour la fabrication de transistors de forte et moyenne puissance ", déclare Deep Dumka, Ingénieur Recherche chez TriQuint.
TriQuint déclare travailler actuellement à l'amélioration de la fiabilité et de la qualité de la technologie.
Picogiga a annoncé, début 2004, sa nouvelle famille de produits à base de nitrure de gallium sur substrat de silicium monocristallin. " Ces résultats impressionnants obtenus sur nos structures vont permettre au nitrure de gallium sur silicium de devenir une solution compétitive pour les futures générations de transistors HEMT. Grâce à un compromis optimal entre coûts et performances, l'approche développée avec TriQuint va permettre à nos clients d'utiliser cette technologie pour des applications en fort volume ", déclare Jean-Luc Ledys, PDG de Picogiga.
Les structures HEMT à base de nitrure de gallium sur substrat de silicium monocristallin se sont imposées de façon significative ces dernières années grâce à leur fort potentiel pour les applications à très haute-puissance dans le domaine des ondes micrométriques et millimétriques. Jusqu'à maintenant, deux types de substrats seulement, le saphir et le carbure de silicium, ont été les matériaux de choix dans la fabrication de transistors à base de nitrure de gallium. Les performances du saphir sont limitées à cause de sa faible conductivité thermique, ce qui a permis au carbure de silicium, disposant d'une bonne conductivité thermique de demeurer la solution la plus utilisée à ce jour pour des applications de puissance. Cependant, cette approche offre des limitations, notamment à cause des difficultés de fabrication, de limitation de taille et de coût d'approvisionnement des substrats monocristallins de carbure de silicium. Les substrats de silicium se sont avérés être une excellente alternative pour ces structures HEMT à base de nitrure de gallium grâce à la bonne conductivité thermique du silicium, sa disponibilité et sa qualité constante et reconnue ainsi que son coût réduit. C'est pourquoi Picogiga a choisi de consacrer d'importantes ressources pour industrialiser les structures HEMT à base de nitrure de gallium épitaxié par jet moléculaire sur substrat de silicium monocristallin et les intégrer dans sa stratégie (" roadmap ") produits GaN. Ce produit est actuellement disponible en tranches de diamètres 2, 3, et 4 pouces.
A propos du Groupe Soitec : Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI* et le sSOI*, basée sur sa technologie Smart Cut™ ,aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les 2 Océanes de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris. Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site Internet : www.soitec.com
*SOI :Silicon On Insulator - Silicium sur Isolant et sSOI :strained Silicon On Insulator - Silicium contraint sur Isolant
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
A propos de Picogiga International: La société Picogiga international est maintenant une division du Groupe Soitec focalisée sur le développement et la fabrication des matériaux semi-conducteurs III-V. L'épitaxie est une technologie clé que Soitec entend utiliser en complément de sa technologie Smart Cut en l'appliquant à des composés autres que le silicium, tels que les semi-conducteurs III-V.
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