Element Six annonce la diode à effet Schottky haute tension en diamant
ASCOT, Angleterre, September 19 /PRNewswire/ -- Element Six (E6) a annoncé le franchissement d'une étape importante dans son programme électronique basé sur le diamant, avec la fabrication d'une diode à effet Schottky (SBD) en diamant, capable de fonctionner sous 1700 V et >10 A/cm2. Ceci est la première étape clé du programme, atteinte avant les délais, après seulement une année de développement. Le groupe de travail qui a réalisé cette percée technologique est le consortium CAPE (CArbon Power Electronics). Ce projet, soutenu par la Chambre du Commerce et de l'Industrie du Royaume-Uni, est mené à bien par un consortium britannique composé de deux entreprises industrielles (Element Six Ltd et Dynex Semiconductors Ltd) et d'un partenaire académique (Cambridge University Engineering Department - CUED). La diode à effet Schottky a été fabriquée à partir d'un cristal simple de diamant produit par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) chez Element Six. Le diamant, avec ses propriétés physiques exceptionnelles, fait une nouvelle fois la preuve de son potentiel en tant que semi-conducteur à grande largeur de bande interdite, pour une utilisation dans le domaine électronique haute puissance. Les performances théoriques intrinsèques du diamant, alliées à ce tout récent dispositif, suggèrent que le diamant pourrait devenir un important composant pour les appareils convertisseurs de puissance, capables de fonctionner à des tensions dépassant 10 000 volts et sous des températures supérieures à celles supportées par d'autres matériaux semi-conducteurs.
La capacité des dispositifs à l'état solide à supporter des hautes tensions avec les matériaux semi-conducteurs actuels, comme le silicium ou l'arséniure de gallium, est limitée par les propriétés de ces matériaux. Les appareils à haute tension, nécessaires pour une grande variété d'applications avancées telles que la distribution de puissance et les commandes de moteurs de traction, auront besoin de matériaux possédant des performances supérieures, comme le carbure de silicium et le diamant ; dans ce cas précis le diamant possède de loin les meilleures caractéristiques. La société E6 a désormais prouvé que la technologie du diamant pouvait surpasser les dispositifs à l'état solide en carbure de silicium, en fabriquant des diodes à effet Schottky hautes performances à base de cristal simple de diamant obtenu par CVD.
Steve Coe, directeur de la recherche chez Element Six, a déclaré : << La mise au point de ces dispositifs a présenté d'énormes défis techniques, que seule une équipe de recherche de classe mondiale pouvait surmonter. Ce n'est que grâce à l'expertise commune du consortium CAPE que nous sommes en mesure de libérer l'énorme potentiel du diamant en tant que matériau électronique. >>
Christian Hultner, administrateur délégué chez Element Six, a ajouté : << La fabrication de cette diode à effet Schottky rend hommage aux talents de notre équipe de recherche. C'est une nouvelle preuve formidable que l'avènement de la technologie électronique à base de diamant devient rapidement une réalité et que notre investissement considérable dans ce domaine est sur le point de payer. Cette diode à effet Schottky, tout comme nos autres avancées en composants électroniques sur le marché des semi-conducteurs, renforce le potentiel du diamant en tant que nouveau matériau industriel, avec de vastes possibilités. Les diodes à effet Schottky seront les premiers produits électroniques de ce type, mais de nombreux autres suivront. >>
À propos de Element Six
Element Six est le leader mondial de la production de toutes les formes du diamant synthétique à usage industriel. Element Six est un pionnier dans la mise au point de la technologie du diamant CVD depuis les années 1980. Le diamant CVD ouvre la voie à de nombreux autres domaines d'application, au-delà des utilisations traditionnelles du diamant synthétique comme matériau abrasif. Le diamant CVD est utilisé notamment pour les fentes de sortie de laser, les outils de découpe, les lames chirurgicales, les fenêtres pour gyrotrons à haute puissance, les dissipateurs thermiques pour dispositifs électroniques ainsi que les dispositifs électroniques actifs.
À propos de Dynex Semiconductor
Fournisseur de composants et services mondialement reconnu, Dynex Semiconductor propose ses services dans le domaine des semi-conducteurs de puissance, des détecteurs par hyperfréquence et des circuits intégrés. Ses semi-conducteurs de puissance sont utilisés pour améliorer le rendement, la fiabilité et la qualité de l'alimentation électrique dans les applications suivantes : transmission et distribution d'électricité de grande puissance, propulsion navale et ferroviaire, aérospatiale, télécommunications et véhicules électriques. Aujourd'hui, le siège social de Dynex Semiconductor, la production, la fabrication des wafers, les ventes, la commercialisation, la recherche et développement sont regroupés dans notre usine de Lincoln, au Royaume-Uni.
À propos de << Cambridge University Engineering Department >>
L'Université de Cambridge comprend plus de cent départements, facultés et écoles. Le << Cambridge University Engineering Department >> dispose de nombreux outils essentiels pour concevoir de manière innovante des dispositifs semi-conducteurs. Parmi ces outils, citons les trois logiciels de CAO standard dans l'industrie, destinés à la modélisation physique : Synopsis/Avant!, ISE et Silvaco. L'équipe de recherche de Cambridge possède une expérience approfondie dans l'utilisation de ces outils pour concevoir des dispositifs semi-conducteurs à haute puissance. Cambridge peut ainsi transférer cette expertise pratique à la conception de dispositifs en diamant. Depuis quinze ans, l'Université possède également des installations de mesure et de caractérisation, développées spécifiquement pour les dispositifs électroniques à base de carbone, à la fois au niveau fondamental et au niveau du matériau. Le laboratoire d'énergie électronique possède des instruments très sophistiqués pour évaluer de façon détaillée les performances transitoires et les modes de défaillance des dispositifs semi-conducteurs de puissance.