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jeudi 7 février 2008 à 2h43

Toshiba développe latechnologie de mémoire DRAM embarquée la plus rapide au monde


La société Toshiba Corporation a annoncé aujourdhui quelle avait développé la technologie de circuit la plus rapide au monde pour une mémoire DRAM embarquée pour System LSI, atteignant une vitesse de 833 MHz à une densité de 32 Mo. Cette technologie sera appliquée à lintégration à grande échelle du traitement graphique et a été présentée aujourdhui à lISSCC (International Solid State Circuits Conference), qui se tient à San Francisco en Californie depuis le 3 février.

La mémoire DRAM embarquée est appliquée aux systèmes sur puces pour une application graphique, car elle peut lire des quantités supérieures de données à des vitesses supérieures à celle dune mémoire externe. À lheure où les images vidéo atteignent des niveaux de définition toujours plus élevés, des vitesses de traitement supérieures sont requises pour les plus grandes densités.

Pour réaliser une opération à grande vitesse, Toshiba a appliqué un « pseudo système à deux ports », une technologie qui divise virtuellement en deux lensemble de la mémoire et puis lit et écrit les données en parallèle et alternativement. En remplaçant un système conventionnel de lecture et décriture en série avec la nouvelle technologie parallèle et en optimisant ces circuits en tant que structure de commande, Toshiba a réalisé le plus haut niveau de performance de mémoire DRAM embarquée au monde à 32 Mo, une densité actuellement applicable aux produits.

System LSI avec mémoire DRAM embarquée trouvera une application dans les produits numériques hauts de gamme grand public, applications de jeu, téléphones mobiles, projecteurs et autres applications associées à limage de la prochaine génération qui requièrent un transfert accéléré de grands volumes de données. Toshiba envisage dappliquer cette technologie à son procédé system LSI 65 nm de pointe, et de répondre à la demande qui existe sur le marché pour des applications graphiques avancées avec le lancement précoce dun SoC intégrant la nouvelle mémoire DRAM embarquée.

Pour obtenir de plus amples informations et des images, veuillez consulter le site Web de Toshiba à ladresse www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu dune traduction ne doit daucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue dorigine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

ContactsToshiba Corporation
Kaori Hiraki, +81-3-3457-2105
Bureau des communications dentreprise
http://www.toshiba.co.jp/contact/media.htm

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