Soitec annonce une première dans l'industrie: une version de silicium contraint sur isolant, plus facile à utiliser, permettant une augmentation de la mobilité des électrons et adaptée à l'architecture actuelle des microprocesseurs
BERNIN, France—Le 7 octobre, 2004—Soitec (Euronext, Paris), leader mondial du matériau SOI (silicium sur isolant), technologie clé dans la fabrication des semi-conducteurs, annonce aujourd'hui une première dans l'industrie. Il s'agit de silicium contraint sur isolant fabriqué sans germanium, donc plus facile à utiliser, permettant une augmentation de la mobilité des électrons, et adapté à l'architecture actuelle des microprocesseurs. L'avancée scientifique de Soitec, rendue possible grâce à sa technologie brevetée Smart Cut™, marque une étape majeure dans l'évolution de la technologie de silicium contraint. Elle va permettre à ses clients d'accroître jusqu'à 80 % la mobilité des électrons de ses futurs microprocesseurs. Il s'agit surtout pour eux, d'obtenir ces performances sans changer leurs procédés de fabrication, et sans avoir à se soucier de problèmes de production liés à la présence du germanium.
Améliorer les performances des microprocesseurs en améliorant la mobilité des électrons est un des plus gros défis de l'industrie aujourd'hui. Jusqu'à présent, il n'existait pas de version de silicium contraint épais et sans germanium. Le nouveau produit de Soitec résout ce problème, avec une couche épaisse de silicium contraint de 40 nanomètres aux excellentes caractéristiques électroniques et cristallines. Les tests aussi prouvent que la contrainte peut être maintenue à travers les différents procédés thermiques à haute température utilisés dans le cycle de fabrication des microprocesseurs.
" Travailler en étroite collaboration avec nos clients pour comprendre leurs besoins en matière de silicium contraint, nous a permis de créer ce nouveau procédé, " explique André Auberton-Hervé, Président directeur général de Soitec. " C'est une solution idéale, adaptée à l'architecture actuelle des microprocesseurs, sans problèmes d'intégration et de productivité associés à la présence de germanium. Et grâce à une contrainte uniforme à l'échelle d'une plaque entière, elle n'est plus dépendante de l'architecture des composants. C'est aussi un très bon exemple de notre engagement à toujours innover, et à repousser les barrières technologiques. "
Commentant l'annonce, le directeur de la recherche et du développement de Soitec, Carlos Mazuré ajoute : " Le travail de notre équipe de recherche sur le procédé Smart Cut™, ainsi que notre partenariat avec l'équipementier ASM International en matière d'épitaxie, nous ont permis d'obtenir une couche épitaxiale contrainte de qualité sans précédent, poussant les limites de cette technologie de silicium contraint sur isolant au-delà des couches ultra- fines. Grâce à nos clients et à nos partenaires, nous sommes maintenant prêts à faire de notre nouvelle technologie de silicium contraint sur isolant, sans germanium, une réalité industrielle. "
Soitec indique que ses premières évaluations internes et celles de ses clients ont déjà démontré que le silicium contraint sur isolant de couche épaisse est une solution qui permet de répondre aux demandes des clients pour les technologies 65 nanomètres et au-delà. Soitec propose déjà des échantillons de ses nouvelles plaques à ses partenaires et prévoit un passage en production pour la deuxième moitié de l'année 2005.
A propos de Soitec : Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI* et le sSOI*, basée sur sa technologie Smart Cut™ ,aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les Océanes de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris (codes ISIN FR0004025062 - SOI et FR0000182537.) Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site Internet : www.soitec.com
*SOI :Silicon On Insulator - Silicium sur Isolant et sSOI :strained Silicon On Insulator - Silicium contraint sur Isolant
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
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