Numonyx et Hynix accroissent leurs efforts pour mettre sur le marché de nouvelles technologies et de nouveaux produits innovateurs de mémoire flash NAND

Hynix Semiconductor Inc. et Numonyx B.V. ont annoncé aujourd’hui un accord de cinq ans permettant d’élargir leurs programmes de développement commun dans le segment à croissance rapide de la mémoire flash NAND. Les deux sociétés diversifieront leurs gammes de produits NAND et lanceront de futures innovations technologiques et de produits conçues pour surmonter les difficultés auxquelles sera confrontée la technologie NAND au cours des cinq prochaines années.

Dans le cadre du nouvel accord, Hynix et Numonyx élargiront la portée de leurs efforts de développement commun afin de fournir une technologie et des produits de mémoire NAND leaders sur le marché, et d’associer leurs ressources pour accélérer le développement de futures technologies et solutions NAND. Les sociétés collaboreront également sur la mémoire DRAM mobile utilisée dans des boîtiers multipuces pour les téléphones portables.

« Pour réussir au sein de l’industrie en rapide évolution des semi-conducteurs, il est préférable d’aborder les questions d’ordre technologique en collaboration plutôt qu’indépendamment car cela permet de réduire le risque en exploitant les meilleures capacités des deux sociétés », a déclaré Jong-Kap Kim, PDG d’Hynix. « Le développement technologique commun futur constituera le facteur de réussite clé de notre alliance et nous prévoyons de faire des progrès considérables au niveau du développement des solutions de mémoire en nous concentrant sur la mise sur le marché de nouveaux produits par le biais d’un développement collaboratif systématique au niveau des produits, des logiciels et des contrôleurs. Ensemble, Hynix et Numonyx développeront une gamme complète de produits sur des technologies d’avant-garde qui permettront aux deux sociétés de réussir dans le segment mémoire NAND. Nous disposerons alors de l’une des plus larges communautés de conception NAND au monde et nous nous réjouissons à l’idée de poursuivre nos efforts avec le développement de nouvelles solutions de mémoire NAND, aujourd’hui et à l’avenir. »

« La réussite et la croissance du segment mémoire NAND au cours des cinq prochaines années nécessiteront des capacités uniques auxquelles nous pensons pouvoir accéder grâce à Hynix », a déclaré Brian Harrison, président-directeur général de Numonyx. « En associant nos ressources spécialisées, nos activités d’ingénierie et l’engagement absolu d’Hynix en ce qui concerne la détermination des coûts, nous sommes convaincus que nous disposerons d’une technologie de pointe, d’une fabrication rentable et échelonnable, d’un savoir-faire au niveau des systèmes de mémoire leader sur le marché, ainsi que d’une renommée concernant le lancement de solutions de mémoire NAND niveau système sur le marché très rapidement. L’expertise complémentaire apportée par Hynix permettra sans aucun doute de renforcer notre position NAND, notamment sur le segment sans fil. »

La production de mémoire NAND devient de plus en plus complexe au fur et à mesure que la technologie se réduit ou évolue vers des nœuds de fabrication lithographiques de plus en plus petits. Il est prévu que la mémoire NAND charge-trap remplacera la technologie actuelle courante NAND Floating Gate, et l’expérience que possède Numonyx dans le domaine de la technologie flash NOR devrait contribuer considérablement à cette évolution. En outre, au cours des cinq prochaines années, les fournisseurs de mémoire devront affiner leur expertise au niveau de la physique des dispositifs et des solutions mémoire au niveau système globales afin de surmonter les difficultés.

L’utilisation efficace de l’expertise logicielle de Numonyx contribuera à cet effort et aura un impact bénéfique sur la percée sur le marché et l’augmentation des parts de marché pour les solutions NAND intégrées telles que microSD, eMMC et SSD. Les synergies entre Hynix et Numonyx, alliées à 40 années d’expérience dans la résolution des difficultés liées à la mémoire non volatile, ainsi qu’à l’expertise dans le développement de micrologiciels, de microcontrôleurs et autres solutions de système constitueront des facteurs clés dans le dépassement des limites de la technologie – à savoir faire passer NAND du silicium brut aux systèmes.

En plus de leur collaboration autour de NAND, les sociétés participent également actuellement à une initiative de fabrication commune pour la production de mémoire mobile DRAM 300 mm à faible puissance dans leur coentreprise de Wuxi en Chine. La mémoire mobile DRAM, généralement empilée avec une mémoire non volatile dans des boîtiers multipuces est utilisée par les deux sociétés dans le cadre de solutions pour dispositifs mobiles. Cette collaboration sur la mémoire mobile DRAM permettra aux deux sociétés d’expédier des sous-systèmes de mémoire multipuces à faible puissance à des coûts plus intéressants aux clients qui exigent une conception compacte. Avec le lancement prévu au mois d’avril du produit LPDDR2 à 1 Go le plus rapide au monde, Hynix se positionne désormais comme le leader industriel des produits de mémoire DRAM mobile en termes de diversité de produits, leadership technologique, performance et compatibilité avec des interfaces SDR/DDR offrant des solutions à puce unique.

À propos d’Hynix

Hynix Semiconductor Inc. (HIS) de Icheon en Corée, le premier fournisseur mondial « top tier » de semi-conducteurs pour mémoire propose des puces mémoires de type DRAM (mémoires vives dynamiques) et Flash à une large variété de grands clients internationaux. Les actions de la société sont cotées à la Bourse de Corée et les actions « Global Depository » au marché des changes du Luxembourg. Des informations complémentaires sur Hynix sont disponibles sur le site www.hynix.com.

À propos de Numonyx

Numonyx conçoit et fabrique une gamme complète de technologies et de produits intégrés de mémoire non volatile, NOR, NAND et à changement de phase afin de satisfaire les besoins de plus en plus sophistiqués des clients du marché sans fil, des données et des dispositifs intégrés. Numonyx réunit la technologie et l’expertise de fabrication des divisions de mémoire flash d’Intel Corporation et de STMicroelectronics et a pour mission de fournir des solutions de boîtiers et des technologies de mémoire à haute densité et faible consommation à une clientèle mondiale. Des informations complémentaires sur Numonyx sont disponibles sur le site www.numonyx.com.

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