Le groupe Soitec et ASM International annoncent les premiers échantillons industriels de plaques de silicium contraint sur isolant de taille 300 mm
SEMICON Japon 2004, Chiba, Japon—Le 1er décembre, 2004—La collaboration du Groupe Soitec (Euronext Paris) et de ASM International N.V. (Nasdaq: ASMI, Euronext Amsterdam : ASM) - dont l'objectif est la commercialisation de substrats de silicium contraint sur isolant - a permis de produire avec succès les premiers échantillons industriels de plaques de taille 300 mm. Cette étape majeure a été motivée par les résultats obtenus lors des évaluations-clients menées sur des substrats de taille 200 mm. La première plaque 300 mm de silicium contraint sur isolant sera exposée au Japon sur le stand de Soitec Asia au salon Semicon Japan qui aura lieu du 1er au 3 décembre à Chiba. Soitec et ASM annoncent aussi avoir décidé de continuer leur partenariat afin d'améliorer la productivité lors de la phase industrielle et de développer des produits de silicium contraint sur isolant de nouvelle génération.
Soitec et ASM annoncent que la qualité de ces plaques de silicium contraint sur isolant de taille 300 mm est très proche de celle déjà atteinte par les plaques 200 mm, soulignant ainsi la capacité du procédé Smart Cut™ à s'adapter à la production industrielle de plaques de diamètre supérieur. Ces plaques de silicium contraint offrent une valeur de contrainte de 1.5 Giga Pascal (Gpa) avec une uniformité de ± 7 pour cent sur l'ensemble de la plaque. La contrainte enregistrée correspond à une déformation de la maille atomique du silicium d'environ 1 pour cent. L'épaisseur de la couche de silicium contraint est de 200 Å et présente une uniformité de ± 3 pour cent et une rugosité de surface comparable aux meilleurs substrats de silicium massif du marché. Des évaluations internes ont démontré que les substrats de silicium contraint sur isolant de Soitec conservaient leur contrainte à des températures pouvant atteindre 1100°C, avec une marge suffisante pour supporter les budgets thermiques rencontrés lors de la fabrication des circuits intégrés CMOS.
" L'échantillonnage réussi de substrats de silicium contraint sur isolant de 300 mm permet d'envisager de passer de la phase d'évaluation R&D vers celle de l'industrialisation, conduisant ainsi Soitec à proposer ces substrats pour le développement de circuits intégrés de 45 nanomètres " déclare Carlos Mazuré, Directeur de la recherche et du développement chez Soitec. " Cette récente avancée démontre notre capacité à développer, dans un très court délai, des substrats innovants répondant aux fortes exigences des futures technologies sur 300 mm " ajoute-t-il.
L'un des éléments clé du développement industriel de substrats de silicium contraint sur isolant de taille 300 mm fabriqués avec la technologie Smart Cut fut l'introduction du réacteur d'épitaxie Epsilon(R) 3200 au début de cette année. Ce nouveau modèle de la ligne de réacteurs d'épitaxie de la société ASM qui fait partie de la ligne d'équipement d'épitaxie silicium 300mm d'ASM appelée E3000 et dont la capacité de production a été optimisée spécialement, fut installé sur le site de production de Bernin au début de l'année 2004. " Plusieurs améliorations apportées au réacteur permettent, à la fois, la croissance de couches relaxées de silicium germanium et de silicium contraint avec un contrôle optimum des épaisseurs et des compositions tout en permettant d'allier un niveau élevé de contrainte et un faible niveau de défauts " déclare Armand Ferro, Manager de la Business Unit pour les équipements d'épitaxie chez ASM America, Phoenix.
Ces substrats avancés de silicium contraint sur isolant de taille 300 mm sont le fruit d'un programme de développement de deux années entre Soitec et ASM. Initié en février 2003, ce partenariat entre les deux sociétés a permis d'introduire avec succès des substrats de silicium contraint sur isolant sur le marché. L'atout principal de ces substrats est l'augmentation de la mobilité sur l'ensemble de la couche active, ce qui permet le de tirer les bénéfice de la couche contrainte de façon globale sur l'ensemble du circuit intégré et quelques soient les géométries des transistors. C'est ainsi que les substrats de silicium contraint sur isolant permettront d'adresser une gamme plus large d'applications qui demandent à la fois vitesse élevée et faible puissance, y compris les processeurs de haute performance. Cela permettra aux fabricants de circuits intégrés grâce à l'accès à ces substrats de silicium contraint sur isolant, de passer la barrière technologique de la dissipation thermique sans compromis par rapport à la performance, ce qui s'avèrent de plus en plus critiques dans le développement de circuits intégrés avancés et plus précisément lors de l'adoption des technologies allant au-delà de 65 nanomètres.
Les premiers substrats 300 mm, sont des plaques de silicium contraint sur isolant en couche mince visant les architectures à déplétion totale (FD Fully Depleted) . Des plaques présentant une couche de silicium contraint plus épaisse seront échantillonnées au cours du premier trimestre 2005 afin de répondre aux besoins des architectures à déplétion partielle (PD Partially Depleted).
A propos de Soitec : Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI* et le sSOI*, basée sur sa technologie Smart Cut™ ,aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les Océanes de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris (codes ISIN FR0004025062 - SOI et FR0000182537.) Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site Internet : www.soitec.com
*SOI :Silicon On Insulator - Silicium sur Isolant et sSOI :strained Silicon On Insulator - Silicium contraint sur Isolant
A propos de ASM International: ASM International N.V. est située à Bilthoven en Hollande. ASM International est une société globale qui sert une des industries les plus exigeantes du monde. ASM International est un fabricant d'équipements et de matériaux qui servent à la fabrication de semi-conducteurs, et possède des sites de productions aux Etats-Unis, en Europe, au Japon et en Asie. Les actions de ASM International sont cotées sur NASDAQ (code ASMI) et sur le marché Euronext d'Amsterdam (code ASM.) Des informations complémentaires sur ASM sont disponibles sur le site Internet : www.asm.com
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Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies. ASM, Epsilon et Advance sont des marques déposées de ASM International.
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