SOITEC : Picogiga annonce une nouvelle famille de produits dédiés aux transistors de haute-puissance et haute-fréquence, nécessaires à la fabrication de composants dans le domaine des RF
LES ULIS, France, 29 janvier 2004 - Picogiga International - une division de Soitec (Euronext, Paris), le leader mondial du matériau SOI (silicium sur isolant) et autres matériaux innovants pour l'industrie du semi-conducteur, annonce aujourd'hui l'introduction d'une famille de produits dédiés à la fabrication de composants hyperfréquence de forte puissance : les alliages de nitrure de gallium épitaxiés par jet moléculaire sur substrat de silicium monocristallin. Ces structures destinées à la fabrication de Transistors à Très Haute Mobilité ( HEMTs / High Electron Mobility Transistors ) permettent de combiner les hautes performances du matériau GaN aux qualités d'industrialisation du silicium monocristallin, standard de l'industrie des semi-conducteurs. Cette nouvelle famille de produits va permettre à Picogiga de poursuivre sa croissance en s'appuyant sur ses domaines de compétence largement reconnus.
Ces nouvelles structures AlGaN / GaN vont permettre aux transistors HEMTs d'atteindre des performances exceptionnelles en terme de densité de courant, de tenue en tension ainsi que de vitesse de commutation. Les applications hyperfréquence de puissance visées sont celles des stations de base de téléphonie mobile 3G ou les radars
bande K.
Les premières évaluations réalisées par des clients de Picogiga confirment le positionnement très compétitif de ces structures : les transistors HEMTs supportent des puissances supérieures à 6W/mm @ 2 GHz, avec des fréquences de coupure de 20 à 30 GHz et des tensions de claquage de 50 à 80 Volts.
Aujourd'hui, la plupart des transistors HEMTs fabriqués à partir de structures AlGaN / GaN sont réalisés sur des substrats de saphir ou de carbure de silicium bien adaptés à la croissance épitaxiale de couches de GaN. Ces approches sont, en revanche, pénalisées par les faiblesses de ces matériaux : faible conductivité thermique, coûts d'acquisition élevés, et taille limitée à 2 pouces en diamètre. Le silicium, standard de l'industrie des circuits intégrés, offre une réponse simple à ces limitations. Le procédé d'épitaxie par jet moléculaire mis au point par Picogiga permet de réaliser, au plan industriel, une croissance de couches de nitrure de gallium sur un substrat permettant d'associer les propriétés électriques du nitrure de gallium pour des applications hyperfréquence de puissance et les avantages des substrats de silicium tels que le coût d'approvisionnement, et la disponibilité en volume de tranches de diamètres 3, 4 ou même 6 pouces.
' Les composants RF de puissance réalisés sur nos structures constituent donc une excellente réponse à la demande de nos clients pour des produits plus performants à coût acceptable ', commentait Jean-Luc Ledys, Directeur Général de Picogiga. ' Nous poursuivons ainsi notre stratégie de fournisseur de produits de haute-performance destinés aux nouvelles générations de composants de puissance RF. Ceci constitue une étape importante dans notre ' roadmap ' pour les applications alliant forte puissance et rapidité '.
A propos de Soitec : Soitec est le premier fabricant et fournisseur mondial de plaques SOI pour l'industrie des semi-conducteurs, basées sur la technologie Smart Cut(tm). Soitec produit la gamme la plus étendue de matériaux avancés en couches fines pour la micro-électronique, avec ses produits UNIBOND(tm). Les actions Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris (code Sicovam 7206). Les OCEANES Soitec sont également cotées au Nouveau Marché d'Euronext Paris. Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site internet : www.soitec.com
A propos de Picogiga International: En avril 2003, Soitec a acquit les actifs du fabricant français de plaques épitaxiées de semi-conducteurs III-V. La société Picogiga international est maintenant une division du Groupe Soitec focalisée sur le développement et la fabrication des matériaux semi-conducteurs III-V. L' épitaxie est une technologie clé que Soitec entend utiliser en complément de sa technologie Smart Cut en l'appliquant à des composés autres que le silicium, tels que les semi-conducteurs III-V.
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