Le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES) de Toshiba équipé de la technologie des procédés à 0,13 ?m destinée aux semi-conducteurs analogiques de puissance améliore les caractéristiques DES

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Le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES) de Toshiba équipé de la technologie des procédés à 0,13 ?m destinée aux semi-conducteurs analogiques de puissance améliore les caractéristiques DES

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Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Groupe de promotion de la communication IR
Division de planification des activités
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a mis au point un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES) destiné aux applications à semi-conducteurs analogiques de puissance, fabriqué avec la technologie avancée des procédés à 0,13 ?m qui optimise la structure des transistors et améliore sensiblement les caractéristiques de décharges électrostatiques (DES). La protection DES est jusqu'à quatre fois plus fiable, et l'écart-type n'est que le 1/12e de la structure traditionnelle. L'analyse des simulations 3D a également permis à Toshiba d'identifier un mécanisme permettant d'optimiser la structure des transistors et de renforcer la fiabilité DES. Toshiba a annoncé ces progrès au symposium international sur les semi-conducteurs « ISPSD2016 » qui s'est tenu en République tchèque le 14 juin 2016.

Le présent Smart News Release (communiqué de presse intelligent) contient des éléments multimédias. Consultez l'intégralité du communiqué ici : http://www.businesswire.com/news/home/20160615006474/fr/

L'injection de décharges électrostatiques excessives, à partir du corps humain ou des équipements, peut potentiellement détruire les dispositifs à semi-conducteurs, car les courants DES provoquent une augmentation locale des températures à l'intérieur du silicium. Les dispositifs de protection DES sont nécessaires pour protéger les circuits internes. Ceci est particulièrement vrai pour les dispositifs à semi-conducteurs analogiques de puissance qui doivent appliquer 10 V à 100 V, ce qui nécessite une tension nominale élevée. Les dispositifs de protection DES doivent dans ce cas assurer un courant élevé, et cela entraîne des puces de plus grande taille. La réduction de la taille des dispositifs de protection DES pose problème pour réaliser des puces plus compactes.

En utilisant une analyse de simulation 3D d'un événement DES, Toshiba a découvert que la destruction par décharges électrostatiques est due à une augmentation de la température du réseau due au courant circulant au point culminant du champ électrique. La modification de la structure des transistors, en prolongeant la région à faible résistance du drain en direction de la source et en éliminant la résistance latérale du silicium, fait basculer le courant de la partie inférieure du drain en direction de la source et le détache du point culminant du champ électrique. Cette conception optimisée s'est avérée renforcer quatre fois la fiabilité DES et diminuer jusqu'à 12 fois l'écart-type. La taille exigée par le dispositif pour un modèle HBM^* ±2 000 V a été par ailleurs réduite de 68 %.

Toshiba propose des plateformes analogiques avancées, avec la technologie des procédés à 0,13 ?m, qui peuvent être incorporées avec des transistors de type CMOS, DMOS, des transistors bipolaires et les dispositifs passifs tels que les résistances et les condensateurs. L'utilisateur peut sélectionner un procédé adapté à chaque application à partir des trois plates-formes de procédés suivantes : « BiCD-0.13 » est principalement destiné au secteur automobile (la gamme DMOS passe à 100 V) ; « CD-0.13BL » est principalement destiné aux pilotes de commande moteur (la gamme DMOS passe à 60 V) ; et le procédé « CD-0.13 » est principalement destiné à la gestion de l'alimentation des circuits intégrés (la gamme DMOS passe à 40 V).

Toshiba envisage de lancer des produits utilisant le procédé CD-0.13 appliqué à cette technologie en 2017 et continue de les mettre en ?uvre de manière proactive sur d'autres plateformes de procédés pour améliorer les caractéristiques de décharge électrostatique.

* Modèle du corps humain (Human Body Model, HBM) : l'un des paramètres indiquant la fiabilité DES

À propos de Toshiba
Toshiba Corporation, une entreprise du classement Fortune Global 500, canalise ses compétences de classe mondiale en produits et systèmes électroniques et électriques de pointe, et se concentre trois domaines d'activités : L'énergie qui soutient une vie de tous le jours plus propre et plus sécurisée ; L'infrastructure qui soutient la qualité de vie ; et le stockage qui soutient une société d'information avancée. Guidée par les principes d'engagement élémentaire du groupe Toshiba, « Engagé pour les autres, engagé pour l'avenir » (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promeut des opérations mondiales et contribue à la réalisation d'un monde dans lequel les générations futures vivront mieux.

Fondée à Tokyo en 1875, la société Toshiba se situe aujourd'hui au c?ur d'un réseau mondial de plus de 550 entreprises consolidées, employant plus de 188 millions de personnes à travers le monde, avec des ventes annuelles dépassant les 5,6 billions JPY (50 milliards USD). (au 31 mars 2016).
Pour en savoir plus sur Toshiba, consultez le site www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d'une traduction ne doit d'aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d'origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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