GLOBALFOUNDRIES décrit sa technologie avancée destinée à évoluer vers des n?uds à 22 nm et au-delà

GLOBALFOUNDRIES a aujourd'hui décrit une technologie innovante qui devrait surmonter l'un des principaux obstacles freinant l'évolution des transistors HKMG (High-K Metal Gate), et franchir ainsi le pas vers une nouvelle génération de terminaux mobiles dotés d'une plus grande puissance de calcul et d'une autonomie de batterie nettement améliorée.

Le secteur des semi-conducteurs est réputé abattre les obstacles apparemment infranchissables qui freinent sa progression vers des produits plus petits, rapides et économes en énergie. Exécutée en partenariat avec IBM suite à la participation de GLOBALFOUNDRIES à l'Alliance technologique IBM (IBM Technology Alliance), cette nouvelle étude a pour but de permettre la réduction de l'échelle des composants semi-conducteurs vers des n?uds à 22 nanomètres et au-delà.

Lors du Symposium 2009 sur la technologie VLSI, à Kyoto, au Japon, GLOBALFOUNDRIES a annoncé avoir fait pour la première fois la démonstration d'une technique permettant de réduire l'épaisseur équivalente en oxyde (Equivalent Oxyde Thickness, ou EOT) d'un transistor HKMG à un niveau situé bien au-delà d'un n?ud à 22 nm, sans cesser de conjuguer faible fuite, tensions de seuil bas et mobilité supérieure du porteur de charge.

« Le transistor HKMG est un composant essentiel du programme technologique de GLOBALFOUNDRIES », a déclaré Gregg Bartlett, senior vice-president de la recherche et du développement technologique de cette société. « Ce développement pourrait offrir aux utilisateurs un nouvel outil pour améliorer la performance de leurs produits, notamment sur le marché en expansion rapide des ordinateurs ultra portables et des smartphones à autonomie de batterie étendue. En conjonction avec IBM et les partenaires de l'alliance, nous exploitons notre base de connaissances mondiale pour développer des technologies avancées qui permettront à nos clients de rester à la pointe de l'industrie des semi-conducteurs. »

Pour préserver la précision de commutation d'un transistor HKMG, il est nécessaire de réduire l'EOT de la couche d'oxyde « high-k ». Toutefois, ceci revient à augmenter le courant de fuite, ce qui peut contribuer à accroître la consommation électrique d'une micropuce. GLOBALFOUNDRIES et IBM ont développé une nouvelle technique qui élimine cet obstacle et démontre pour la première fois qu'une réduction d'échelle de l'EOT bien au-delà du n?ud à 22 nm est envisageable, sans s'écarter de la combinaison nécessaire de faible fuite, tensions de seuil bas et mobilité du porteur de charge. Ce résultat vient d'être démontré avec succès avec la fabrication d'un composant n-MOSFET dont l'EOT est de 0,55 nm, et d'un composant p-MOSFET dont l'EOT est de 0,7 nm.

À propos de GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES est le premier fabricant de semi-conducteurs de pointe à avoir atteint une dimension véritablement mondiale. Lancée en mars 2009 dans le cadre d'un partenariat entre AMD (NYSE : AMD) et ATIC (Advanced Technology Investment Company), GLOBALFOUNDRIES propose une combinaison de technologies de pointe, d'excellence de la fabrication et d'activités mondiales. GLOBALFOUNDRIES a son siège dans la Silicon Valley et des installations à Austin, Dresde et New York.

Pour de plus amples informations sur GLOBALFOUNDRIES, consulter le site www.globalfoundries.com.

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