FREESCALE SEMICONDUCTOR ET SOITEC ONT DEMONTRE L'AUGMENTATION DE 70% DE LA MOBILITE DES ELECTRONS DANS LES CIRCUITS INTEGRES GRACE AU SILICUM CONTRAINT SUR ISOLANT POUR LES GENERATIONS AU-DELA DE 65 NANOMETRES
Deux années de partenariat révèlent les capacités du silicium contraint sur isolant (sSOI) à accroître la mobilité tout en restant hautement compatible avec les procédés CMOS existants
Bernin, France et Austin, Texas - le 12 avril 2005 - Marquant une étape majeure dans le développement du sSOI pour les futures générations de circuits intégrés, Freescale Semiconductor (précédemment Motorola Semiconductor) et le Groupe Soitec annoncent aujourd'hui les résultats de leurs efforts de développement commun pour optimiser la performance des circuits CMOS de générations au-delà de 65 nanomètres. Avec des résultats sur des circuits montrant environ 70% d'augmentation de la mobilité des électrons tout en maintenant une parfaite compatibilité avec les procédés CMOS existants, le partenariat a démontré que les circuits de 45 nanomètres CMOS utilisant les substrats sSOI peuvent effectivement améliorer les performances. Cette avancée permettra à Freescale de mettre sur le marché une nouvelle génération de puces encore plus rapides et plus efficaces et consommant moins d'énergie.
Les deux sociétés rapportent qu'elles ont démarré leur partenariat il y a deux ans pour évaluer le potentiel du sSOI comme matériau de base pour les générations au-delà de 65 nanomètres. En combinant la technologie Smart Cut™ de Soitec et son expertise d'ingénierie de substrats d'une part et les compétences et procédés CMOS avancés de Freescale d'autre part, l'équipe de développement a été en mesure de produire les premiers circuits CMOS de 45 nanomètres fonctionnant sur des substrats de sSOI fabriqués par transfert de couche.
Pour satisfaire les besoins d'intégration CMOS pour les futures puces de haute performance, Soitec et Freescale ont travaillé en étroite collaboration pour optimiser la relation critique entre l'architecture des transistors et le substrat sSOI. " La qualité et l'uniformité des substrats sont des paramètres critiques pour assurer la meilleure performance possible des circuits " précise Joe Mogab, Directeur du Développement et de la Recherche externe chez Freescale. Et d'ajouter, " Ensemble, les deux sociétés ont été capables de faire progresser significativement les procédés existants en repoussant les limites du matériau et réaliser ainsi des améliorations rapides de la qualité des substrats tout en respectant les contraintes des circuits partiellement " déplétés ". Ce partenariat de recherche stratégique avec Soitec nous a permis de puiser dans un large gisement d'expertise pour accélérer l'évaluation de ces matériaux. "
" Nous sommes extrêmement satisfaits des résultats déjà atteints grâce à notre collaboration technique avec Freescale. Cette alliance est un excellent exemple de la très forte synergie que les fabricants de puces et les fournisseurs de substrats peuvent créer pour accélérer l'ingénierie des substrats et l'adapter spécifiquement aux objectifs de performance des circuits " déclare Carlos Mazuré, Directeur de la Recherche et du Développement du Groupe Soitec.
Les travaux ont été basés initialement sur le silicium germanium sur isolant puis sur du sSOI et ont permis à Soitec et à Freescale d'apprendre à combiner un substrat sSOI avec l'architecture des circuits pour optimiser la technologie et ses résultats. Le sSOI est un solide candidat pour les générations au-delà de 65 nanomètres grâce à sa capacité unique à répondre aux applications nécessitant haute performance et basse consommation énergétique.
Les résultats des circuits NMOS sur sSOI démontrent une amélioration de la mobilité de 70%. Les résultats électriques démontrent qu'il n'y a pas de différence de fiabilité entre les circuits sur SOI standard et ceux sur sSOI. De plus aucune relaxation du silicium contraint n'a été observée pour les géométries de transistors de 40 nanomètres. La capacité à produire du silicium contraint sur isolant avec des épaisseurs supérieures à 40 nanomètres rend le sSOI parfaitement compatible avec les procédés CMOS SOI existants.
Le matériau SOI qui intègre une couche de silicium sur une couche enterrée de dioxyde de silicium permet aux puces fabriquées sur ce substrat de fonctionner à des vitesses significativement supérieures avec moins de perte électronique, permettant une réduction d'un facteur de 2 à 3 de la puissance consommée et une augmentation de 20 à 30% de la vitesse des composants. De même le silicium contraint offre moins de résistance aux électrons augmentant ainsi leur mobilité pour aboutir à une augmentation de 20 à 30% de la performance du transistor. La combinaison de ces deux technologies sous la forme du sSOI permet à Freescale de cumuler les bénéfices de ces deux technologies offrant des avancées extrêmement importantes dans les domaines de la vitesse, de la puissance consommée et de la densité des circuits.
A propos de Freescale Semiconductor : Freescale (précédemment Motorola Semiconductor) est un leader mondial dans la conception et la production de semi-conducteurs embarqués pour les marchés de l'automobile, de l'électronique grand public, de l'industrie, des réseaux et des technologies sans fil. Freescale est à la pointe de l'innovation, et joue notamment un rôle de tout premier plan dans le développement de technologies disruptives telles que Zigbee™, UWB (Ultra-Wideband) ou encore des mémoires magnétiques MRAM. Des informations complémentaires sur Freescale Semiconductor sont disponibles sur le site Internet: www.freescale.com
A propos du Groupe Soitec : Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI et le sSOI, basée sur sa technologie Smart Cut™ , aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les 2 OCEANE de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris. Des informations complémentaires sur le Groupe Soitec sont disponibles sur le site Internet: www.soitec.com
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
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