Soitec installe une nouvelle ligne de production industrielle dédiée à la fabrication de plaques de silicium contraint sur isolant
Une étape clé de la stratégie du Groupe en matériaux innovants
Bernin, France, le 1er décembre 2003 - Soitec (Euronext, Paris), leader mondial du matériau SOI*, technologie clé dans la fabrication des semi-conducteurs, annonce aujourd'hui installer une nouvelle ligne de production pour assurer l'industrialisation de plaques de silicium contraint sur isolant. Le projet comporte la mise en place d'un équipement de croissance épitaxiale dans la ligne pilote, ainsi qu'une ligne Smart Cut(tm) pour la fabrication de silicium-germanium sur oxyde (SGOI) et de silicium contraint sur isolant (sSOI) dans Bernin II. La production des premières plaques de silicium contraint sur isolant est prévue pour le début du quatrième trimestre 2004. A pleine capacité, la ligne produira environ 60,000 plaques par an (en équivalent format 200mm).
Pour fabriquer du silicium contraint sur isolant, il faut disposer de silicium contraint et de silicium germanium fabriqués par épitaxie, ainsi que du SOI en couches fines. Avec cet investissement, Soitec supporte pleinement l'industrialisation de ce nouveau matériau. La société confirme sa capacité à proposer des solutions SOI qui sont en même temps commercialement viables en production en forts volumes et adaptables aux nouvelles générations de circuits intégrés. Cette décision confirme l'engagement de Soitec de développer les technologies essentielles à la fabrication d'une grande gamme de matériaux innovants au format 200 et 300 mm, comme le sSOI, SGOI et le GeOI.
La clé de ce projet est le procédé de fabrication unique et exclusif Smart Cut, développé par Soitec, et qui est devenu le standard ' de facto ' de l'industrie pour le transfert de couches et le collage de plaques. ' Le silicium contraint sur isolant apparaît aujourd'hui comme la technologie qui offre le plus grand potentiel en terme d'amélioration de la performance des circuits intégrés de 65 nanomètres et au-delà ', commentait André Auberton-Hervé, Président Directeur Général de Soitec. 'En ajoutant ces nouvelles capacités, et plus particulièrement celle de produire des couches minces par épitaxie dans notre propre centre de production, nous nous allons pouvoir rapidement livrer des volumes industriels de plaques de silicium contraint sur isolant, de grande qualité, et ceci pour répondre à la demande de nos clients. '
Par ailleurs, la fabrication de la plaque de silicium germanium par croissance épitaxiale repose sur l'expertise acquise par Soitec, gràce à son partenariat (annoncé au mois de Mai de cette année) avec l'équipementier, ASM International. Soitec s'attache maintenant à affiner les processus de croissance épitaxiale afin d'optimiser les performances du substrat, et d'améliorer la productivité et les coûts, de manière à accélérer la mise sur le marché d'une solution complète de plaques de sSOI au format 200mm et, à terme au format 300mm.
A propos de Soitec :
Soitec est le premier fabricant et fournisseur mondial de plaques SOI pour l'industrie des semi-conducteurs, basées sur la technologie Smart Cut(tm). Soitec produit la gamme la plus étendue de matériaux avancés en couches fines pour la micro-électronique, avec ses produits UNIBOND(tm). Les actions Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris (code Sicovam 7206). Les OCEANES Soitec sont également cotés au Nouveau Marché d'Euronext Paris.
Des informations complémentaires sur Soitec sont disponibles sur le site : www.soitec.com
* Silicon On Insulator (silicium sur isolant)
Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies.
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